මයික්‍රෝවේව් සින්ටර් උදුන සැලසුම් කිරීම

මයික්‍රෝවේව් තාපන උදුන ප්‍රධාන වශයෙන් අධීක්ෂණ පද්ධතිය, පාලන පද්ධතිය, පරිවාරක පෙට්ටිය, මයික්‍රෝවේව් උත්පාදක යන්ත්රය, තාපන පෙට්ටිය සහ ගෑස් ගබඩා ටැංකිය සමන්විත වේ.උනුසුම් පෙට්ටිය මල නොබැඳෙන වානේ දර්පණ තහඩුවකින් සාදා ඇත.තාපන පෙට්ටියේ සිසිලනය සාක්ෂාත් කර ගැනීම සඳහා මල නොබැඳෙන වානේ තහඩු ස්ථර දෙකක් අතර සිසිලන ජලය සැන්ඩ්විච් තුළ ගලා යා හැකිය.

1. සෙරමික් ද්රව්ය මයික්රෝවේව් සින්ටර් කිරීමේ මූලධර්මය

මයික්‍රෝවේව් වෙත ද්‍රව්‍යවල ප්‍රතික්‍රියාව අවස්ථා හතරකට බෙදිය හැකිය: මයික්‍රෝවේව් පරාවර්තනය මයික්‍රෝවේව් සම්ප්‍රේෂණය;මයික්රෝවේව් අවශෝෂණය;මයික්රෝවේව්වේ අර්ධ අවශෝෂණය.බොහෝ ලෝහ පළමු කාණ්ඩයට අයත් වන අතර සියලුම වීදුරු සහ සෙරමික් ද්‍රව්‍ය අවසාන කාණ්ඩ තුනට වැටේ.සෙරමික් ශරීරයක් මයික්‍රෝවේව් ක්ෂේත්‍රයක තැබූ විට, අවශෝෂණ බලය පහත සමීකරණය මගින් ප්‍රකාශ කළ හැක.

P = (2π fε ) ( E2/ 2) tan δ， මයික්‍රෝවේව් ද්‍රව්‍යය විනිවිද යන විට එහි තීව්‍රතාවය විනිවිද යාමේ ගැඹුර සමඟ අඩු වේ.ද්‍රව්‍ය මතුපිට සිට ක්ෂුද්‍ර තරංග ශක්තියෙන් 1/ e දක්වා අඩු වීම දක්වා ඇති දුර මයික්‍රෝවේව්වේ විනිවිද යාමේ ගැඹුර Dp ලෙස අර්ථ දැක්වේ:

3λ 0

DP = π tan δ (ε r/ε 0) 1/ 2

8. 686

එහිදී, P යනු සෙරමික් ශරීරය විසින් අවශෝෂණය කරන ලද මයික්‍රෝවේව් බලයයි;F යනු සංඛ්‍යාතයයි;ε යනු සංයුක්ත පාර විද්‍යුත් නියතයයි;λ 0 යනු රික්තයේ ඇති මයික්‍රෝවේව් තරංග ආයාමයයි;E යනු විද්යුත් ක්ෂේත්රයේ තීව්රතාවයයි;tan δ යනු පාර විද්‍යුත් සෙරමික් වල පාඩු ස්පර්ශයයි;අලාභ ස්පර්ශකය (පාර විද්‍යුත් නියතයට අලාභ සාධකයේ අනුපාතය) සාමාන්‍යයෙන් ද්‍රව්‍යයේ සම්බන්ධ කිරීමේ හැකියාව මයික්‍රෝවේව් වෙත ප්‍රකාශ කිරීමට භාවිතා කරයි. පාඩු ස්පර්ශක අගය වැඩි වන තරමට ද්‍රව්‍යය සහ මයික්‍රෝවේව් අතර සම්බන්ධ කිරීමේ හැකියාව ශක්තිමත් වේ.

2. මයික්රෝවේව් ඉහළ උෂ්ණත්ව තාපන උදුන සැලසුම් කිරීම

මයික්‍රෝවේව් තාපන උදුන ප්‍රධාන වශයෙන් අධීක්ෂණ පද්ධතිය, පාලන පද්ධතිය, පරිවාරක පෙට්ටිය, මයික්‍රෝවේව් උත්පාදක යන්ත්රය, තාපන පෙට්ටිය සහ ගෑස් ගබඩා ටැංකිය සමන්විත වේ.උනුසුම් පෙට්ටිය මල නොබැඳෙන වානේ දර්පණ තහඩුවකින් සාදා ඇත.තාපන පෙට්ටියේ සිසිලනය සාක්ෂාත් කර ගැනීම සඳහා මල නොබැඳෙන වානේ තහඩු ස්ථර දෙකක් අතර සිසිලන ජලය සැන්ඩ්විච් තුළ ගලා යා හැකිය.අපි භාවිතා කරන උෂ්ණත්ව සංවේදකය ඇමරිකානු ලයිටායි සමාගමේ RAYR3I1MSCL2U අධෝරක්ත උෂ්ණත්වමානයයි.පාලන පද්ධතියට අතින් පාලනය සහ ස්වයංක්‍රීය පාලනය අවබෝධ කර ගත හැක.මයික්‍රෝවේව් උදුනේ දොර විවෘත කිරීමෙන් පසු මයික්‍රෝවේව් උදුනේ දොර වසා ඇති අතර කුහරය අතර හිඩැස්වලින් කාන්දු වීම වැළැක්වීම සඳහා, ඉහළ මානයන්හි නිරවද්‍යතාවය සහ එකලස් කිරීමේ නිරවද්‍යතාවය සහතික කිරීම සඳහා සැකසීමේදී සහ නිෂ්පාදනය කිරීමේදී උදුන දොර රත් කිරීමට අමතරව, අපි චෝක් වල ව්‍යුහය වටා සවි කර ඇති මයික්‍රෝවේව් උදුනේ දොර, මෙම ව්‍යුහය මයික්‍රෝවේව් කාන්දු වීම ඵලදායි ලෙස අඩු කළ හැකිය.මයික්‍රෝවේව් උත්පාදකයේ තේරීම, ක්ෂේත්‍ර සැලසුම් සහ පරිවරණය ප්‍රධාන සාධක වේසින්ටර් උදුනනිර්මාණ.

3. මයික්රෝවේව් උත්පාදක තෝරා ගැනීම

Mag netron, Klystron සහ Gyrotron සාමාන්‍යයෙන් මයික්‍රෝවේව් තාපන උපාංගවල තෝරා ගැනේ.මයික්රෝවේව් සින්ටර් කිරීමේ උපකරණවල "හදවත" ලෙස, එහි තේරීම සමස්ත උපකරණයේ කාර්යසාධනය සහ පිරිවැය සෘජුවම බලපානු ඇත.මයික්‍රෝවේව් සින්ටර් කිරීමේ උපාංගයේ බහුලව භාවිතා වන සංඛ්‍යාතය වන්නේ:

915 MHz, 2.45 GHz, 6 GHz, 6 GHz, 28 GHz සහ 60 GHz යනාදිය. සාමාන්‍යයෙන්, 915 MHz සහ 2.45 GHz, 6 GHz වැනි අඩු සංඛ්‍යාත සඳහා magnetron මයික්‍රෝවේව් උත්පාදකයක් ලෙස තෝරා ගත හැකි අතර වැඩි වේග නියාමක නලයක් ලෙස තෝරා ගත හැකිය. 28 GHz සහ 60 GHz වැනි චුම්බක දඟරයක් ලෙස තෝරා ගත හැක.

විවිධ මයික්‍රෝවේව් උත්පාදක යන්ත්‍රවල සංඛ්‍යාතය සහ බලය වැඩි වන විට, ඒවායේ මිල අනුපාතය ($/ වොට්) සැලකිය යුතු ලෙස වැඩි වනු ඇත.සැලසුමේ දී අධි බලැති මයික්‍රෝවේව් උත්පාදක යන්ත්‍රයක් අවශ්‍ය නම්, බල අධිස්ථාන මගින් ලබා ගැනීම සඳහා එකම සංඛ්‍යාතය සහ අඩු බල උත්පාදක යන්ත්‍රය භාවිතා කිරීම රෙකමදාරු කරනු ලැබේ.

4. පරිවාරක ව්යුහය සැලසුම් කිරීම

මයික්‍රෝවේව් සින්ටර් උදුනේ බහුලව භාවිතා වන පරිවාරක ව්‍යුහය වන්නේ වළලන ලද කුඩු වර්ගය සහ පෙට්ටි වර්ගයයි.වළලන ලද කුඩු පරිවාරක ව්යුහය හොඳ පරිවාරක බලපෑමක් ඇති වාසි ඇත.කෙසේ වෙතත්, සාම්පල වැඩි උෂ්ණත්වයකදී සින්ටර් කරන විට, සාම්පල සහ වළලන ලද කුඩු අතර ඇලීම පහසුවෙන් සිදු වේ.සාම්පල සින්ටර් කිරීමෙන් පසු සෘජු ස්පර්ශය සිදුවනු ඇත.නමුත් මෙම ව්යුහය වළලන ලද කුඩු පරිවාරක ව්යුහය තරම් හොඳ නොවේ.පරිවාරක ව්යුහයන් දෙකක ලක්ෂණ ඒකාබද්ධ කිරීම, අපි පෙට්ටි ආකාරයේ පරිවාරක ව්යුහයක් නිර්මාණය කර ඇත.